全球先進的太陽能發電及儲能系統技術的專業企業SMA Solar Technology AG（以下簡稱“SMA”）在其太陽能系統新產品“Sunny Central FLEX”中采用了內置羅姆新型2kV SiC MOSFETs的賽米控丹佛斯功率模塊。“Sunny Central FLEX”是為大規模太陽能發電設施、儲能系統以及下一代技術設計的模塊化平臺，旨在進一步提高電網的效率和穩定性。羅姆半導體歐洲總裁Wolfram Harnack表示：“羅姆新型2kV耐壓SiC MOSFETs是為1,500V DC鏈路實
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羅姆 ROHM SiC MOSFET 功率模塊 太陽能
引言碳化硅（ SiC）MOSFET在電源和電力電子領域的應用越來越廣泛。隨著功率半導體領域的發展，開關損耗也在不斷降低。隨著開關速度的不斷提高，設計人員應更加關注MOSFET的柵極驅動電路，確保對MOSFET的安全控制，防止寄生導通，避免損壞功率半導體。必須保護敏感的MOSFET柵極結構免受過高電壓的影響。Littelfuse提供高效的保護解決方案，有助于最大限度地延長電源的使用壽命、可靠性和魯棒性。 柵極驅動器設計措施關于SiC-MOSFET驅動器電路的穩健性，有幾個問題值得考慮。除了驅動器安全切換半導
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以Vishay SiE848DF的數據手冊圖作為參考示例，這是一款采用 PolarPAK? 封裝的 N 溝道 30 V 溝槽功率 MOSFET。MOSFET 的封裝限制為 60A 和 25°C。阻斷電壓是多少？阻斷電壓 BVDSS 是可以施加到 MOSFET 的最大電壓。當驅動感性負載時，這包括施加的電壓加上任何感性感應電壓。對于感性負載，MOSFET 兩端的電壓實際上可以是施加電壓的兩倍。MOSFET 的雪崩特性是什么？這決定了 MOSFET 在雪崩條件下可以承受多少能量。如果超過最大漏源電壓并且電流沖
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全社會都在積極推動低碳化轉型，而低碳化的背后其實是電氣化。在 新型電氣能源架構 中，相比于從前，一次能源到終端用戶的 能源轉換次數增多 。雖然可再生能源是免費的，但是這種多層級的能源轉換，每一步都會帶來一定的能耗損失，因此 追求更高效的能源轉化效率至關重要 。SiC正是功率半導體的 能效提升技術 ，它的出現滿足了低碳化時代兩大全新的市場需求：1能效創新： SiC技術在光伏、儲能、數據中心等大功率電源管理領域，能夠顯著
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近日，清純半導體和VBsemi（微碧半導體）分別推出了其第三代碳化硅（SiC）MOSFET產品平臺，標志著功率半導體技術在快充效率、高功率密度應用等領域取得了重大突破。01清純半導體推出第3代SiC MOSFET產品平臺4月21日，清純半導體官微宣布，推出第3代碳化硅（SiC）MOSFET技術平臺，該平臺首款主驅芯片（型號：S3M008120BK）的常溫導通電阻低至8mΩ，比導通電阻系數Rsp達到2.1
mΩ·cm2，處于國際領先水平。source：清純半導體（圖為清純半導體1、2、3代產品比電阻Rs
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電能與智能是現代社會發展的兩大主題，電能如同工業文明的血液系統，提供物理世界運行的能量基礎，智能恰似數字文明的神經網絡，構建數字空間的決策中樞。作為電能轉換的智能開關，功率半導體在構建現代社會能源體系中發揮著關鍵性的樞紐作用，通過對電壓、電流和頻率的精準調控，功率半導體可以有效地提升電能轉換效率。經過七十年的發展，功率半導體經歷了兩次大的技術升級，第一次是以硅基IGBT 和CoolMOS為代表的第二代功率器件替代以可控硅晶閘管和MOSFET為代表的第一代功率器件，由于同屬硅基材料體系，第二代功率器件兼具成
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如今所有東西都存儲在云端，但云究竟在哪里？答案是數據中心。我們對圖片、視頻和其他內容的無盡需求，正推動著數據中心行業蓬勃發展。國際能源署 (IEA) 指出，[1]人工智能 (AI) 行業的迅猛發展正導致數據中心電力需求激增。預計在 2022 年到 2025 年的三年間，數據中心的耗電量將翻一番以上。 這不僅增加了運營成本，還給早已不堪重負的老舊電力基礎設施帶來了巨大的壓力，亟需大規模的投資升級。隨著數據中心耗電量急劇增加，行業更迫切地需要能夠高效轉換電力的功率半導體。這種需求的增長一方面是為了降低運營成本
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安森美（onsemi）推出的碳化硅共源共柵場效應晶體管（SiC JFET cascode）在硬開關與軟開關應用場景中展現出顯著技術優勢。其官方發布的《SiC JFET共源共柵應用指南》系列文檔，通過三篇技術解析深入剖析器件特性，本文作為開篇之作，將聚焦闡釋cascode結構的核心機理。該指南不僅系統闡述共源共柵器件的拓撲架構，更對關鍵電參數、獨特性能優勢及設計支持體系進行全方位解讀，為功率半導體開發者提供從基礎理論到實踐應用的完整技術指引。Cascode簡介碳化硅結型場效應晶體管（SiC JFET）相比其
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_____為了減緩氣候變化，人類在非化石燃料和可再生能源解決方案方面取得了顯著進展，交通領域的電氣化進程也在加速推進。這些新興技術大多對電源提出了更高的要求，尤其是對大功率的需求。例如，電動汽車（EV）的電池包電壓已高達900 VDC以上，容量可達95kWh；快充和超充系統功率更是輕松突破240kW。氫燃料電池堆作為另一種汽車供電技術，其功率可超過500kW，電流高達1000A。市場需求下的挑戰一方面，我們需要擺脫化石燃料，另一方面，全球能耗又在不斷攀升。服務器農場就是一個能源需求更高的例子。為了有足夠的
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Enphase Energy采用全球功率系統和物聯網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）的?600 V CoolMOS? 8高壓超結（SJ）MOSFET產品系列，簡化了系統設計并降低了裝配成本。Enphase Energy是全球能源技術公司、基于微型逆變器的太陽能和電池系統的領先供應商。通過使用600 V CoolMOS? 8 SJ，Enphase顯著降低了其太陽能逆變器系統的?MOSFET?內阻（RDS(on)），進而減
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Nexperia正式推出一系列性能高效、穩定可靠的工業級1200 V碳化硅(SiC) MOSFET。該系列器件在溫度穩定性方面表現出色，采用創新的表面貼裝?(SMD)?頂部散熱封裝技術X.PAK。X.PAK封裝外形緊湊，尺寸僅為14 mm ×18.5 mm，巧妙融合了SMD技術在封裝環節的便捷優勢以及通孔技術的高效散熱能力，確保優異的散熱效果。此次新品發布精準滿足了眾多高功率（工業）應用領域對分立式SiC MOSFET不斷增長的需求，該系列器件借助頂部散熱技術的優勢，得以實現卓越的熱性
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商用的Si MOSFET耐壓普遍不超過900V，而SiC擁有更高的擊穿場強，在結構上可以減少芯片的厚度，從而較大幅度地降低MOSFET的通態電阻，使其耐壓可以提高到幾千伏甚至更高。本文帶你了解其靜態特性。1. 正向特性圖1顯示了SiC MOSFET的正向通態特性。由于MOSFET是單極性器件，沒有內建電勢，所以在低電流區域，SiC MOSFET的通態壓降明顯低于Si IGBT的通態壓降；在接近額定電流時，SiC MOSFET的通態壓降幾乎與Si IGBT相同。對于經常以低于額定電流工作的應用，使用SiC
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三菱電機 SiC MOSFET
簡介電力電子器件高度依賴于硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化鎵高電子遷移率晶體管（GaN HEMT）等半導體材料。雖然硅一直是傳統的選擇，但碳化硅器件憑借其優異的性能與可靠性而越來越受歡迎。相較于硅，碳化硅具備多項技術優勢（圖1），這使其在電動汽車、數據中心，以及直流快充、儲能系統和光伏逆變器等能源基礎設施領域嶄露頭角，成為眾多應用中的新興首選技術。圖 1：硅器件（Si）與碳化硅（SiC）器件的比較什么是碳化硅Cascode JFET技術？眾多終端產品制造商已選擇碳化硅技術替代傳統硅技術，基于雙極結型晶體
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碳化硅 Cascode
簡介電力電子器件高度依賴于硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化鎵高電子遷移率晶體管（GaN HEMT）等半導體材料。雖然硅一直是傳統的選擇，但碳化硅器件憑借其優異的性能與可靠性而越來越受歡迎。相較于硅，碳化硅具備多項技術優勢（圖1），這使其在電動汽車、數據中心，以及直流快充、儲能系統和光伏逆變器等能源基礎設施領域嶄露頭角，成為眾多應用中的新興首選技術。特性Si4H-SiCGaN禁帶能量（eV）1.123.263.50電子遷移率(cm2/Vs)14009001250空穴遷移率(cm2/Vs)600100200
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全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）面向企業級高性能服務器和AI服務器電源，開發出實現了業界超低導通電阻*1和超寬SOA范圍*2的Nch功率MOSFET*3。新產品共3款機型，包括非常適用于企業級高性能服務器12V系統電源的AC-DC轉換電路二次側和熱插拔控制器（HSC）*4電路的“RS7E200BG”（30V），以及非常適用于AI服務器48V系統電源的AC-DC轉換電路二次側的“RS7N200BH（80V）”和“RS7N160BH（80V）”。隨著高級數據處理技術的進步和數字化轉型的加速，
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碳化硅 mosfet介紹
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